SI2303BDS-T1-E3 - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -1.49 A, -30 V, 0.15 ohm, -10 V, -3 V

SI2303BDS-T1-E3产品信息

SI2303BDS-T1-E3替代选择

• 制造商产品编号
• 仓库库存编号
• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• SI2303CDS-T1-GE3.
  
• 1690263

• VISHAY

  场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -2.7A

  (EN)
• 搜索

• SI2303CDS-T1-GE3
  
• 1858938

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, P沟道, -2.7 A, -30 V, 0.158 ohm, -10 V, -3 V

  (EN)
• 搜索

• BSH202
  
• 1894740

• NEXPERIA

  晶体管, MOSFET, P沟道, -520 mA, -30 V, 0.63 ohm, -10 V, -1.9 V

  (EN)
• 搜索

• BSH202,215
  
• 2459501

• NEXPERIA

  P CHANNEL, DMOS FET, -30V, -520MA, 3-SOT-23

  (EN)
• 搜索

SI2303BDS-T1-E3关联产品

• 制造商产品编号
• 仓库库存编号
• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• RE901
  
• 1172113

• ROTH ELEKTRONIK

  电路板, 多模适配器, 环氧玻璃复合, 1.5mm, 22.86mm x 46.72mm

  (EN)
• 搜索

SI2303BDS-T1-E3相关搜索

SI2303BDS-T1-E3产地与重量

原产地：

China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：

是

税则号：

85412900

重量（千克）：

2.27