SI2302CDS-T1-GE3. - 

场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 2.9A, TO-236

SI2302CDS-T1-GE3.产品信息

SI2302CDS-T1-GE3.替代选择

• 制造商产品编号
• 仓库库存编号
• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• NTR4501NT1G
  
• 1431305

• ON SEMICONDUCTOR

  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 20 V, 80 mohm, 4.5 V, 1.2 V

  (EN)
• 搜索

• SI2302CDS-T1-GE3
  
• 1684049

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.9 A, 20 V, 0.045 ohm, 8 V, 850 mV

  (EN)
• 搜索

• IRLML6244TRPBF
  
• 1864517

• INFINEON

  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.3 A, 20 V, 21 mohm, 4.5 V, 0.9 V

  (EN)
• 搜索

• PMV65XP,215.
  
• 2147884

• NEXPERIA

  场效应管, MOSFET, P 通道, -20V, -3.9A, 3-SOT-23

  (EN)
• 搜索

• SI2302CDS-T1-GE3
  
• 2524651

• VISHAY

  场效应管, MOSFET, N通道, 20V, 0.045Ω, 2.6A

  (EN)
• 搜索

SI2302CDS-T1-GE3.关联产品

• 制造商产品编号
• 仓库库存编号
• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• 80-4-5
  
• 2052088

• CHEMTRONICS

  脱焊编织带, 松香 SD, 1.5M

  (EN)
• 搜索

SI2302CDS-T1-GE3.相关搜索

SI2302CDS-T1-GE3.产地与重量

原产地：

China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：

是

税则号：

85412900

重量（千克）：

.000039