SI1922EDH-T1-GE3,2056714,双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 1.3 A, 20 V, 0.165 ohm, 4.5 V, 400 mV,VISHAY
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SI1922EDH-T1-GE3 - 

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 1.3 A, 20 V, 0.165 ohm, 4.5 V, 400 mV

VISHAY SI1922EDH-T1-GE3
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制造商：
VISHAY VISHAY
制造商产品编号：
SI1922EDH-T1-GE3
仓库库存编号：
2056714
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SI1922EDH-T1-GE3产品信息

  晶体管极性  双N沟道  
  电流, Id 连续  1.3A  
  漏源电压, Vds  20V  
  在电阻RDS（上）  0.165ohm  
  电压 @ Rds测量  4.5V  
  阈值电压 Vgs  400mV  
  功耗 Pd  1.25W  
  晶体管封装类型  SOT-363  
  针脚数  6引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

SI1922EDH-T1-GE3产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.000005
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