SI1922EDH-T1-GE3,2400001,场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20V,VISHAY
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SI1922EDH-T1-GE3 - 

场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20V

VISHAY SI1922EDH-T1-GE3
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制造商:
VISHAY VISHAY
制造商产品编号:
SI1922EDH-T1-GE3
仓库库存编号:
2400001
技术数据表:
(EN)
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MOSFET, NN CH, 20V, 1.3A, SOT363

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DUAL MOSFET, DUAL N CHANNEL, 1.3 A, 20 V

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SI1922EDH-T1-GE3 Dual N-channel MOSFET Transistor, 1.3 A, 20 V, 6-Pin SOT-363

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SI1922EDH-T1-GE3|VISHAY SILICONIXSI1922EDH-T1-GE3
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场效应管 MOSFET 双N沟道 20V 1.3A SOT363
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SI1922EDH-T1-GE3
VISHAY SI1922EDH-T1-GE3
2056714

VISHAY

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 1.3 A, 20 V, 0.165 ohm, 4.5 V, 400 mV

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VISHAY SI1922EDH-T1-GE3
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场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20V

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Siliconix / Vishay - SI1922EDH-T1-GE3 - 6-Pin SOT-363 20 V 1.3 A SI1922EDH-T1-GE3 Dual N-channel MOSFET Transistor|70616150 | ChuangWei Electronics
Siliconix / Vishay
SI1922EDH-T1-GE3 Dual N-channel MOSFET Transistor, 1.3 A, 20 V, 6-Pin SOT-363


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Vishay Siliconix - SI1922EDH-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363

详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 1.3A 1.25W Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)

型号:SI1922EDH-T1-GE3
仓库库存编号:SI1922EDH-T1-GE3CT-ND
别名:SI1922EDH-T1-GE3CT
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SI1922EDH-T1-GE3产地与重量

原产地:
China

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