SI1427EDH-T1-GE3,2056679,晶体管, MOSFET, P沟道, -2 A, -20 V, 0.05 ohm, -4.5 V, -400 mV,VISHAY
laird代理商
专业代理销售laird（莱尔德）全系列产品-新加坡2号仓库
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：28B0500-100  IRF9540  保险丝  amphenol  4.7μF 63V 5mm  P沟道 8ohm SOT-23  2581138

SI1427EDH-T1-GE3 - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -2 A, -20 V, 0.05 ohm, -4.5 V, -400 mV

VISHAY SI1427EDH-T1-GE3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
VISHAY VISHAY
制造商产品编号：
SI1427EDH-T1-GE3
仓库库存编号：
2056679
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

SI1427EDH-T1-GE3产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -2A  
  漏源电压, Vds  -20V  
  在电阻RDS（上）  0.05ohm  
  电压 @ Rds测量  -4.5V  
  阈值电压 Vgs  -400mV  
  功耗 Pd  2.8W  
  晶体管封装类型  SOT-363  
  针脚数  6引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
关键词         

SI1427EDH-T1-GE3关联产品

  • 制造商产品编号
  • 仓库库存编号
  • 制造商 / 说明 / 规格书
  • 操作

SI1427EDH-T1-GE3相关搜索

晶体管极性 P沟道  VISHAY 晶体管极性 P沟道  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 P沟道  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 P沟道   电流, Id 连续 -2A  VISHAY 电流, Id 连续 -2A  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 -2A  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 -2A   漏源电压, Vds -20V  VISHAY 漏源电压, Vds -20V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds -20V  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds -20V   在电阻RDS（上） 0.05ohm  VISHAY 在电阻RDS（上） 0.05ohm  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS（上） 0.05ohm  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS（上） 0.05ohm   电压 @ Rds测量 -4.5V  VISHAY 电压 @ Rds测量 -4.5V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 -4.5V  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 -4.5V   阈值电压 Vgs -400mV  VISHAY 阈值电压 Vgs -400mV  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs -400mV  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs -400mV   功耗 Pd 2.8W  VISHAY 功耗 Pd 2.8W  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 2.8W  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 2.8W   晶体管封装类型 SOT-363  VISHAY 晶体管封装类型 SOT-363  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 SOT-363  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 SOT-363   针脚数 6引脚  VISHAY 针脚数 6引脚  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 6引脚  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 6引脚   工作温度最高值 150°C  VISHAY 工作温度最高值 150°C  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C   产品范围 -  VISHAY 产品范围 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -   汽车质量标准 -  VISHAY 汽车质量标准 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -   MSL MSL 1 -无限制  VISHAY MSL MSL 1 -无限制  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

SI1427EDH-T1-GE3产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.000005
laird电子简介 | laird产品 | laird动态 | 按系列选型 | 按产品规格选型 | laird产品应用 | laird选型手册
Copyright © 2017 www.laird-tek.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
版权所有：深圳市创唯电子有限公司 客服电话：400-900-3095 企业QQ：800152669 邮箱:sales@szcwdz.com