SI1304BDL-T1-E3. - 

场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 900mA, SC-70

SI1304BDL-T1-E3.产品信息

SI1304BDL-T1-E3.替代选择

• 制造商产品编号
• 仓库库存编号
• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• PMF370XN,115
  
• 1758096

• NEXPERIA

  晶体管, MOSFET, N沟道, 870 mA, 30 V, 0.37 ohm, 4.5 V, 1 V

  (EN)
• 搜索

• SI1304BDL-T1-E3
  
• 2101433

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, N沟道, 900 mA, 30 V, 0.216 ohm, 4.5 V, 1.3 V

  (EN)
• 搜索

• SI1308EDL-T1-GE3
  
• 2283646

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.4 A, 30 V, 0.11 ohm, 10 V, 600 mV

  (EN)
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SI1304BDL-T1-E3.相关搜索

SI1304BDL-T1-E3.产地与重量

原产地：

China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：

是

税则号：

85412100

重量（千克）：

.000035