IRFDC20PBF,1350852,场效应管, MOSFET, N沟道,VISHAY
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IRFDC20PBF
IRFDC20PBF -
场效应管, MOSFET, N沟道
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
VISHAY
VISHAY
制造商产品编号:
IRFDC20PBF
仓库库存编号:
1350852
技术数据表:
(EN)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IRFDC20PBF产品信息
晶体管极性
N沟道
电流, Id 连续
320mA
漏源电压, Vds
600V
在电阻RDS(上)
4.4ohm
电压 @ Rds测量
10V
阈值电压 Vgs
4V
功耗 Pd
1.3W
晶体管封装类型
HVMDIP
针脚数
4引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
关键词
IRFDC20PBF关联产品
制造商产品编号
仓库库存编号
制造商 / 说明 / 规格书
操作
80-4-5
2052088
CHEMTRONICS
脱焊编织带, 松香 SD, 1.5M
(EN)
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电流, Id 连续 320mA
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漏源电压, Vds 600V
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在电阻RDS(上) 4.4ohm
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电压 @ Rds测量 10V
VISHAY 电压 @ Rds测量 10V
场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 电压 @ Rds测量 10V
VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 电压 @ Rds测量 10V
阈值电压 Vgs 4V
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功耗 Pd 1.3W
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晶体管封装类型 HVMDIP
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场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 晶体管封装类型 HVMDIP
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针脚数 4引脚
VISHAY 针脚数 4引脚
场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 针脚数 4引脚
VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 针脚数 4引脚
工作温度最高值 150°C
VISHAY 工作温度最高值 150°C
场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 工作温度最高值 150°C
VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 工作温度最高值 150°C
产品范围 -
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MSL MSL 1 - Unlimited
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场效应管MOSFET晶体管(600V以上) MSL MSL 1 - Unlimited
VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) MSL MSL 1 - Unlimited
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Q Q:
800152669
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IRFDC20PBF产地与重量
原产地:
United States
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85412900
重量(千克):
.000588
美国1号品牌选型
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