2N7002-T1-E3,1021754,晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.1 V,VISHAY
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2N7002-T1-E3 - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.1 V

VISHAY 2N7002-T1-E3
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制造商:
VISHAY VISHAY
制造商产品编号:
2N7002-T1-E3
仓库库存编号:
1021754
技术数据表:
(EN)
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2N7002-T1-E3产品概述

The 2N7002-T1-E3 is a 60V N-channel MOSFET with low on resistance and low threshold. Suitable for solid-state relays and TTL/CMOS direct logic-level interface.
  • Low input capacitance
  • Fast switching speed
  • Low input and output leakage
  • Low offset voltage
  • Low error voltage

电源管理, 工业

2N7002-T1-E3产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  115mA  
  漏源电压, Vds  60V  
  在电阻RDS(上)  7.5ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  2.1V  
  功耗 Pd  200mW  
  晶体管封装类型  TO-236  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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2N7002-T1-E3产地与重量

原产地:
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.000033
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