TPC6006-H(TE85L,F),1714357,晶体管, MOSFET, N沟道, 3.9 A, 40 V, 75 mohm, 10 V, 2.3 V,TOSHIBA
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4.7μF 63V 5mm
P沟道 8ohm SOT-23
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TPC6006-H(TE85L,F)
TPC6006-H(TE85L,F) -
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.9 A, 40 V, 75 mohm, 10 V, 2.3 V
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制造商:
TOSHIBA
TOSHIBA
制造商产品编号:
TPC6006-H(TE85L,F)
仓库库存编号:
1714357
技术数据表:
(EN)
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400-900-3095 0755-21000796, QQ:
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sales@szcwdz.com
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TPC6006-H(TE85L,F)产品信息
晶体管极性
N沟道
电流, Id 连续
3.9A
漏源电压, Vds
40V
在电阻RDS(上)
75mohm
电压 @ Rds测量
10V
阈值电压 Vgs
2.3V
功耗 Pd
2.2W
晶体管封装类型
TSOP
针脚数
6引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
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MSL
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关键词
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电流, Id 连续 3.9A
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 3.9A
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漏源电压, Vds 40V
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在电阻RDS(上) 75mohm
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电压 @ Rds测量 10V
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 10V
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阈值电压 Vgs 2.3V
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功耗 Pd 2.2W
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晶体管封装类型 TSOP
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针脚数 6引脚
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 6引脚
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工作温度最高值 150°C
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL -
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TPC6006-H(TE85L,F)产地与重量
原产地:
Japan
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85412900
重量(千克):
.0004
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