GT50J325,1300816,单晶体管, IGBT, 50 A, 2.45 V, 240 W, 600 V, TO-3P, 3 引脚,TOSHIBA
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GT50J325 - 

单晶体管, IGBT, 50 A, 2.45 V, 240 W, 600 V, TO-3P, 3 引脚

TOSHIBA GT50J325
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
TOSHIBA TOSHIBA
制造商产品编号：
GT50J325
仓库库存编号：
1300816
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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GT50J325产品概述

The GT50J325 from Toshiba is a N channel silicon insulated gate bipolar transistor in through hole TO-3P package. IGBT typically used at fast switching and high power switching applications.
  • Fourth generation IGBT
  • Enhancement mode type
  • Fast switching
  • Operating frequency up to 50KHz
  • Maximum collector emitter saturation voltage of 2.45V
  • FRD included between emitter and collector
  • Collector emitter voltage VCES of 600V
  • DC collector current of 50A
  • Junction temperature of 150°C
  • Collector power dissipation of 240W

电源管理, 消费电子产品, 便携式器材, 工业

GT50J325产品信息

  集电极直流电流  50A  
  集电极发射饱和电压, Vce  2.45V  
  功耗 Pd  240W  
  集电极发射电压, Vceo  600V  
  晶体管封装类型  TO-3P  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  -  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

GT50J325产地与重量

原产地：
Japan

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.00975
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