2SK1119(F),1218511,功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 1 kV, 3 ohm, 10 V, 3.5 V,TOSHIBA
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2SK1119(F) - 

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 1 kV, 3 ohm, 10 V, 3.5 V

TOSHIBA 2SK1119(F)
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
TOSHIBA TOSHIBA
制造商产品编号:
2SK1119(F)
仓库库存编号:
1218511
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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2SK1119(F)产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  4A  
  漏源电压, Vds  1kV  
  在电阻RDS(上)  3ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  3.5V  
  功耗 Pd  100W  
  晶体管封装类型  TO-220AB  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  -  
  产品范围  -  
  MSL  -  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

2SK1119(F)产地与重量

原产地:
Japan

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.002
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