ISO5851DW,2498455,芯片, 场效应管, MOSFET/晶体管, IGBT驱动器, 反相/非反相, WSOIC16,TEXAS INSTRUMENTS
laird代理商
专业代理销售laird(莱尔德)全系列产品-新加坡2号仓库
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:28B0500-100  IRF9540  保险丝  amphenol  4.7μF 63V 5mm  P沟道 8ohm SOT-23  2581138

ISO5851DW - 

芯片, 场效应管, MOSFET/晶体管, IGBT驱动器, 反相/非反相, WSOIC16

TEXAS INSTRUMENTS ISO5851DW
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
ISO5851DW
仓库库存编号:
2498455
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

ISO5851DW产品概述

The ISO5851DW is a reinforced isolated Gate Driver for IGBTs and MOSFETs with 2.5A source and 5A sink current. The input side operates from a single 3 to 5.5V supply. The output side allows for a supply range from minimum 15V to maximum 30V. Two complementary CMOS inputs control the output state of the gate driver. The short propagation time of 76ns assures accurate control of the output stage. An internal desaturation (DESAT) fault detection recognizes when the IGBT is in an overload condition. Upon a DESAT detect the gate driver output is driven low to VEE2 potential turning the IGBT immediately off. When desaturation is active, a fault signal is sent across the isolation barrier pulling the FLT output at the input side low and blocking the isolator input. The FLT output condition is latched and can be reset through a low-active pulse at the RST input.
  • Output short-circuit clamp
  • Fault alarm upon desaturation detection is signalled on FLT and reset through RST
  • Input and output under-voltage lock-out (UVLO) with ready (RDY) pin indication
  • Active output pull-down and default low outputs with low supply or floating inputs
  • CMOS compatible input
  • Rejects input pulses and noise transients shorter than 20ns
  • 2A Active miller clamp
  • 15 to 30V Output driver supply voltage
  • 100kV/μs Minimum common-mode transient immunity (CMTI) at VCM=1500V
  • Green product and no Sb/Br

工业, 电机驱动与控制, 电源管理, 替代能源, HVAC

ISO5851DW产品信息

  驱动配置  反向, 非反向  
  输出电流峰值  5A  
  电源电压最小值  3V  
  电源电压最大值  5.5V  
  驱动器封装类型  WSOIC  
  针脚数  16引脚  
  输入延迟  76ns  
  输出延迟  76ns  
  工作温度最小值  -40°C  
  工作温度最高值  125°C  
  封装  每个  
  产品范围  -  
  MSL  MSL 2 - 1年  
关键词         

ISO5851DW关联产品

ISO5851DW相关搜索

驱动配置 反向, 非反向  TEXAS INSTRUMENTS 驱动配置 反向, 非反向  IGBT栅极驱动器 驱动配置 反向, 非反向  TEXAS INSTRUMENTS IGBT栅极驱动器 驱动配置 反向, 非反向   输出电流峰值 5A  TEXAS INSTRUMENTS 输出电流峰值 5A  IGBT栅极驱动器 输出电流峰值 5A  TEXAS INSTRUMENTS IGBT栅极驱动器 输出电流峰值 5A   电源电压最小值 3V  TEXAS INSTRUMENTS 电源电压最小值 3V  IGBT栅极驱动器 电源电压最小值 3V  TEXAS INSTRUMENTS IGBT栅极驱动器 电源电压最小值 3V   电源电压最大值 5.5V  TEXAS INSTRUMENTS 电源电压最大值 5.5V  IGBT栅极驱动器 电源电压最大值 5.5V  TEXAS INSTRUMENTS IGBT栅极驱动器 电源电压最大值 5.5V   驱动器封装类型 WSOIC  TEXAS INSTRUMENTS 驱动器封装类型 WSOIC  IGBT栅极驱动器 驱动器封装类型 WSOIC  TEXAS INSTRUMENTS IGBT栅极驱动器 驱动器封装类型 WSOIC   针脚数 16引脚  TEXAS INSTRUMENTS 针脚数 16引脚  IGBT栅极驱动器 针脚数 16引脚  TEXAS INSTRUMENTS IGBT栅极驱动器 针脚数 16引脚   输入延迟 76ns  TEXAS INSTRUMENTS 输入延迟 76ns  IGBT栅极驱动器 输入延迟 76ns  TEXAS INSTRUMENTS IGBT栅极驱动器 输入延迟 76ns   输出延迟 76ns  TEXAS INSTRUMENTS 输出延迟 76ns  IGBT栅极驱动器 输出延迟 76ns  TEXAS INSTRUMENTS IGBT栅极驱动器 输出延迟 76ns   工作温度最小值 -40°C  TEXAS INSTRUMENTS 工作温度最小值 -40°C  IGBT栅极驱动器 工作温度最小值 -40°C  TEXAS INSTRUMENTS IGBT栅极驱动器 工作温度最小值 -40°C   工作温度最高值 125°C  TEXAS INSTRUMENTS 工作温度最高值 125°C  IGBT栅极驱动器 工作温度最高值 125°C  TEXAS INSTRUMENTS IGBT栅极驱动器 工作温度最高值 125°C   封装 每个  TEXAS INSTRUMENTS 封装 每个  IGBT栅极驱动器 封装 每个  TEXAS INSTRUMENTS IGBT栅极驱动器 封装 每个   产品范围 -  TEXAS INSTRUMENTS 产品范围 -  IGBT栅极驱动器 产品范围 -  TEXAS INSTRUMENTS IGBT栅极驱动器 产品范围 -   MSL MSL 2 - 1年  TEXAS INSTRUMENTS MSL MSL 2 - 1年  IGBT栅极驱动器 MSL MSL 2 - 1年  TEXAS INSTRUMENTS IGBT栅极驱动器 MSL MSL 2 - 1年  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

ISO5851DW产地与重量

原产地:
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85423990
重量(千克):
.00015
laird电子简介 | laird产品 | laird动态 | 按系列选型 | 按产品规格选型 | laird产品应用 | laird选型手册
Copyright © 2017 www.laird-tek.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
版权所有:深圳市创唯电子有限公司 客服电话:400-900-3095 企业QQ:800152669 邮箱:sales@szcwdz.com