CSD25401Q3,1710779,晶体管, MOSFET, P沟道, 60 A, -20 V, 0.0088 ohm, -4.5 V, 850 mV,TEXAS INSTRUMENTS
laird代理商
专业代理销售laird(莱尔德)全系列产品-新加坡2号仓库
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:28B0500-100  IRF9540  保险丝  amphenol  4.7μF 63V 5mm  P沟道 8ohm SOT-23  2581138

CSD25401Q3 - 

晶体管, MOSFET, P沟道, 60 A, -20 V, 0.0088 ohm, -4.5 V, 850 mV

TEXAS INSTRUMENTS CSD25401Q3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
CSD25401Q3
仓库库存编号:
1710779
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

CSD25401Q3产品概述

The CSD25401Q3 is a -20V P-channel NexFET? Power MOSFET designed to minimize losses in power conversion applications. Suitable for DC to DC converters, battery management and load switch applications.
  • Ultra low Qg and Qgd
  • Low thermal resistance
  • Low RDS (on)
  • Halogen-free

电源管理

CSD25401Q3产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  60A  
  漏源电压, Vds  -20V  
  在电阻RDS(上)  0.0088ohm  
  电压 @ Rds测量  -4.5V  
  阈值电压 Vgs  850mV  
  功耗 Pd  2.8W  
  晶体管封装类型  SON  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
关键词         

CSD25401Q3相关搜索

晶体管极性 P沟道  TEXAS INSTRUMENTS 晶体管极性 P沟道  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 P沟道  TEXAS INSTRUMENTS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 P沟道   电流, Id 连续 60A  TEXAS INSTRUMENTS 电流, Id 连续 60A  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 60A  TEXAS INSTRUMENTS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 60A   漏源电压, Vds -20V  TEXAS INSTRUMENTS 漏源电压, Vds -20V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds -20V  TEXAS INSTRUMENTS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds -20V   在电阻RDS(上) 0.0088ohm  TEXAS INSTRUMENTS 在电阻RDS(上) 0.0088ohm  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 0.0088ohm  TEXAS INSTRUMENTS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 0.0088ohm   电压 @ Rds测量 -4.5V  TEXAS INSTRUMENTS 电压 @ Rds测量 -4.5V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 -4.5V  TEXAS INSTRUMENTS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 -4.5V   阈值电压 Vgs 850mV  TEXAS INSTRUMENTS 阈值电压 Vgs 850mV  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs 850mV  TEXAS INSTRUMENTS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs 850mV   功耗 Pd 2.8W  TEXAS INSTRUMENTS 功耗 Pd 2.8W  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 2.8W  TEXAS INSTRUMENTS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 2.8W   晶体管封装类型 SON  TEXAS INSTRUMENTS 晶体管封装类型 SON  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 SON  TEXAS INSTRUMENTS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 SON   针脚数 8引脚  TEXAS INSTRUMENTS 针脚数 8引脚  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 8引脚  TEXAS INSTRUMENTS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 8引脚   工作温度最高值 150°C  TEXAS INSTRUMENTS 工作温度最高值 150°C  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C  TEXAS INSTRUMENTS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C   产品范围 -  TEXAS INSTRUMENTS 产品范围 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -  TEXAS INSTRUMENTS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -   汽车质量标准 -  TEXAS INSTRUMENTS 汽车质量标准 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -  TEXAS INSTRUMENTS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -   MSL MSL 1 -无限制  TEXAS INSTRUMENTS MSL MSL 1 -无限制  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制  TEXAS INSTRUMENTS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

CSD25401Q3产地与重量

原产地:
Philippines

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.0001
laird电子简介 | laird产品 | laird动态 | 按系列选型 | 按产品规格选型 | laird产品应用 | laird选型手册
Copyright © 2017 www.laird-tek.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
版权所有:深圳市创唯电子有限公司 客服电话:400-900-3095 企业QQ:800152669 邮箱:sales@szcwdz.com