CSD23382F4T,2430182,晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -12 V, 0.066 ohm, -4.5 V, -800 mV,TEXAS INSTRUMENTS
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CSD23382F4T
CSD23382F4T -
晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -12 V, 0.066 ohm, -4.5 V, -800 mV
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制造商:
TEXAS INSTRUMENTS
TEXAS INSTRUMENTS
制造商产品编号:
CSD23382F4T
仓库库存编号:
2430182
技术数据表:
(EN)
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CSD23382F4T产品信息
晶体管极性
P沟道
电流, Id 连续
-3.5A
漏源电压, Vds
-12V
在电阻RDS(上)
0.066ohm
电压 @ Rds测量
-4.5V
阈值电压 Vgs
-800mV
功耗 Pd
500mW
晶体管封装类型
LGA
针脚数
3引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
-
MSL
MSL 1 -无限制
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晶体管极性 P沟道
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电流, Id 连续 -3.5A
TEXAS INSTRUMENTS 电流, Id 连续 -3.5A
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 -3.5A
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漏源电压, Vds -12V
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在电阻RDS(上) 0.066ohm
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 0.066ohm
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电压 @ Rds测量 -4.5V
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 -4.5V
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功耗 Pd 500mW
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Q Q:
800152669
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CSD23382F4T产地与重量
原产地:
Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85412100
重量(千克):
.001
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