CSD23203WT,2466806RL,晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -8 V, 0.0162 ohm, -4.5 V, -800 mV,TEXAS INSTRUMENTS
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P沟道 8ohm SOT-23
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CSD23203WT
CSD23203WT -
晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -8 V, 0.0162 ohm, -4.5 V, -800 mV
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
TEXAS INSTRUMENTS
TEXAS INSTRUMENTS
制造商产品编号:
CSD23203WT
仓库库存编号:
2466806RL
技术数据表:
(EN)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
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sales@szcwdz.com
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CSD23203WT产品信息
晶体管极性
P沟道
电流, Id 连续
-3A
漏源电压, Vds
-8V
在电阻RDS(上)
0.0162ohm
电压 @ Rds测量
-4.5V
阈值电压 Vgs
-800mV
功耗 Pd
750mW
晶体管封装类型
DSBGA
针脚数
6引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
-
MSL
MSL 1 -无限制
关键词
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晶体管极性 P沟道
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电流, Id 连续 -3A
TEXAS INSTRUMENTS 电流, Id 连续 -3A
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 -3A
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漏源电压, Vds -8V
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds -8V
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在电阻RDS(上) 0.0162ohm
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 0.0162ohm
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电压 @ Rds测量 -4.5V
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 -4.5V
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阈值电压 Vgs -800mV
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs -800mV
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功耗 Pd 750mW
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 750mW
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晶体管封装类型 DSBGA
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 DSBGA
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工作温度最高值 150°C
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制
TEXAS INSTRUMENTS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
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CSD23203WT产地与重量
原产地:
Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85412100
重量(千克):
.0005
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
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