CSD23201W10,1710777,晶体管, MOSFET, P沟道, 1.1 A, -12 V, 0.066 ohm, -4.5 V, 600 mV,TEXAS INSTRUMENTS
laird代理商
专业代理销售laird（莱尔德）全系列产品-新加坡2号仓库
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：28B0500-100  IRF9540  保险丝  amphenol  4.7μF 63V 5mm  P沟道 8ohm SOT-23  2581138

CSD23201W10 - 

晶体管, MOSFET, P沟道, 1.1 A, -12 V, 0.066 ohm, -4.5 V, 600 mV

TEXAS INSTRUMENTS CSD23201W10
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
CSD23201W10
仓库库存编号：
1710777
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
您可通过官网直接下单选定型号并完成支付（请确保型号准确），销售团队将同步审核；线下合同交易模式同步开放，具体流程请联系我司业务代表。
  美国1号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
CSD23201W10
库存编号:2156-CSD23201W10-ND		 Rochester Electronics LLC MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA455050
1211起订		1211+
￥3.12
6-10天购买 购买
,"cvcgetWeb":["c3JjPTEmUE49MjE1Ni1DU0QyMzIwMVcxMC1ORA=="],"cvcModel":["CSD23201W10"],"cvcBrand":[" Rochester Electronics LLC "],"cvcNumberAll":["1211,"],"cvcPriceAll":["3.12,"],"maxnum":["455050"],"minnum":["1211"],"mytime":["6-10天"],"haveiscanbuy":["yes"],

查看资料
CSD23201W10
库存编号:296-24258-6-ND		 Texas Instruments MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA0
1起订		1+
￥9.6
6-10天询价 询价
查看资料
CSD23201W10
库存编号:296-24258-1-ND		 Texas Instruments MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA0
1起订		6-10天询价 询价
查看资料
CSD23201W10
库存编号:296-24258-2-ND		 Texas Instruments MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA0
1起订		6-10天询价 询价
查看资料
  英国8号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
CSD23201W10 Texas Instruments 2200 MA, 12 V, P-CHANNEL, SI, SMALL SIGNAL, MOSFET8
1起订		1+
￥8.76
1-3周购买 购买
,"cvcgetWeb":["c3JjPTI0JlBOPQ=="],"cvcModel":["CSD23201W10"],"cvcBrand":[" Texas Instruments "],"cvcNumberAll":["1,"],"cvcPriceAll":["8.76,"],"maxnum":["8"],"minnum":["1"],"mytime":["1-3周"],"haveiscanbuy":["yes"],

CSD23201W10产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  1.1A  
  漏源电压, Vds  -12V  
  在电阻RDS（上）  0.066ohm  
  电压 @ Rds测量  -4.5V  
  阈值电压 Vgs  600mV  
  功耗 Pd  1W  
  晶体管封装类型  DSBGA  
  针脚数  4引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
关键词         

CSD23201W10关联产品

CSD23201W10相关搜索

晶体管极性 P沟道  TEXAS INSTRUMENTS 晶体管极性 P沟道  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 P沟道  TEXAS INSTRUMENTS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 P沟道   电流, Id 连续 1.1A  TEXAS INSTRUMENTS 电流, Id 连续 1.1A  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 1.1A  TEXAS INSTRUMENTS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 1.1A   漏源电压, Vds -12V  TEXAS INSTRUMENTS 漏源电压, Vds -12V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds -12V  TEXAS INSTRUMENTS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds -12V   在电阻RDS（上） 0.066ohm  TEXAS INSTRUMENTS 在电阻RDS（上） 0.066ohm  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS（上） 0.066ohm  TEXAS INSTRUMENTS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS（上） 0.066ohm   电压 @ Rds测量 -4.5V  TEXAS INSTRUMENTS 电压 @ Rds测量 -4.5V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 -4.5V  TEXAS INSTRUMENTS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 -4.5V   阈值电压 Vgs 600mV  TEXAS INSTRUMENTS 阈值电压 Vgs 600mV  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs 600mV  TEXAS INSTRUMENTS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs 600mV   功耗 Pd 1W  TEXAS INSTRUMENTS 功耗 Pd 1W  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 1W  TEXAS INSTRUMENTS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 1W   晶体管封装类型 DSBGA  TEXAS INSTRUMENTS 晶体管封装类型 DSBGA  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 DSBGA  TEXAS INSTRUMENTS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 DSBGA   针脚数 4引脚  TEXAS INSTRUMENTS 针脚数 4引脚  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 4引脚  TEXAS INSTRUMENTS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 4引脚   工作温度最高值 150°C  TEXAS INSTRUMENTS 工作温度最高值 150°C  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C  TEXAS INSTRUMENTS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C   产品范围 -  TEXAS INSTRUMENTS 产品范围 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -  TEXAS INSTRUMENTS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -   汽车质量标准 -  TEXAS INSTRUMENTS 汽车质量标准 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -  TEXAS INSTRUMENTS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -   MSL MSL 1 -无限制  TEXAS INSTRUMENTS MSL MSL 1 -无限制  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制  TEXAS INSTRUMENTS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制  
参考价格及参考库存
  美国2号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
CSD23201W10
[更多]		 Texas Instruments

MOSFET P-Ch NexFET Power MOSFETs

RoHS: Compliant

搜索
  美国3号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
CSD23201W10
[更多]		 Texas Instruments

Trans MOSFET P-CH 12V 2.2A 4-Pin WLCSP T/R (Alt: CSD23201W10)

RoHS: Compliant

搜索
  美国8号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
CSD23201W10
[更多]		 Texas Instruments  

搜索
  英国8号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
CSD23201W10
[更多]		 Texas Instruments

2200 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

搜索
  美国1号仓库    查看更多相关产品
参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF操作

Texas Instruments - CSD23201W10 - MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA		Texas Instruments
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 2.2A（Tc） 1W（Ta） 4-DSBGA（1x1）

型号：CSD23201W10
仓库库存编号：296-24258-1-ND
别名：296-24258-1 <br> 		无铅搜索
  新加坡2号仓库    查看更多相关产品
制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
CSD23201W10
TEXAS INSTRUMENTS CSD23201W10		1710777

TEXAS INSTRUMENTS

晶体管, MOSFET, P沟道, 1.1 A, -12 V, 0.066 ohm, -4.5 V, 600 mV

 (EN)		搜索
CSD23201W10
TEXAS INSTRUMENTS CSD23201W10		1710777RL

TEXAS INSTRUMENTS

晶体管, MOSFET, P沟道, 1.1 A, -12 V, 0.066 ohm, -4.5 V, 600 mV

 (EN)		搜索
  www.szcwdz.com    查看更多相关产品
参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
CSD23201W10|Texas InstrumentsCSD23201W10
Texas Instruments		MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Rohs

PDF下载 		查价格库存
查看详细
无图CSD23201W10-BKN
TI		Trans MOSFET P-CH 12V 2.2A 4-Pin WLCSP T/R
暂无PDF 		查价格库存
查看详细
  www.szcwdz.cn    查看更多相关产品
参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
CSD23201W10|Texas InstrumentsCSD23201W10
Texas Instruments		MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Rohs

PDF下载 		查价格库存
查看详细
  www.szcwdz.com.cn    查看更多相关产品
参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
CSD23201W10|Texas InstrumentsCSD23201W10
Texas Instruments		MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Rohs

PDF下载 		查价格库存
查看详细
电话:400-900-3095
QQ:800152669

CSD23201W10产地与重量

原产地：
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.0001
laird电子简介 | laird产品 | laird动态 | 按系列选型 | 按产品规格选型 | laird产品应用 | laird选型手册
Copyright © 2017 www.laird-tek.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
版权所有：深圳市创唯电子有限公司 客服电话：400-900-3095 企业QQ：800152669 邮箱:sales@szcwdz.com
深圳市市场监督管理局企业主体身份公示