CSD19537Q3T,2507748,晶体管, MOSFET, NexFET?, N沟道, 50 A, 100 V, 0.0121 ohm, 10 V, 3 V,TEXAS INSTRUMENTS
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晶体管, MOSFET, NexFET?, N沟道, 50 A, 100 V, 0.0121 ohm, 10 V, 3 V

TEXAS INSTRUMENTS CSD19537Q3T
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制造商产品编号：
CSD19537Q3T
仓库库存编号：
2507748
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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CSD19537Q3T产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  50A  
  漏源电压, Vds  100V  
  在电阻RDS（上）  0.0121ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  3V  
  功耗 Pd  83W  
  晶体管封装类型  VSON  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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QQ:800152669

CSD19537Q3T产地与重量

原产地：
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.000001
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