CSD19531KCS.,2410081,场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 100A, TO-220-3,TEXAS INSTRUMENTS
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CSD19531KCS. - 

场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 100A, TO-220-3

TEXAS INSTRUMENTS CSD19531KCS.
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制造商产品编号：
CSD19531KCS.
仓库库存编号：
2410081
技术数据表：
(EN)
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CSD19531KCS.产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  100A  
  漏源电压, Vds  100V  
  在电阻RDS（上）  0.0064ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  2.7V  
  功耗 Pd  179W  
  晶体管封装类型  TO-220  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  -  
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CSD19531KCS
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MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

RoHS: Compliant | pbFree: No

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MOSFET 100V 6.4mOhm Pwr MOSFET

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Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Trans MOSFET N-CH 100V 105A 3-Pin TO-220 Tube (Alt: CSD19531KCS)

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Trans MOSFET N-CH 100V 105A 3-Pin TO-220 Tube (Alt: CSD19531KCS)

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Trans MOSFET N-CH 100V 105A 3-Pin TO-220 Tube - Rail/Tube (Alt: CSD19531KCS)

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MOSFET, N CHANNEL, 100V, 100A, TO-220-3

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MOSFET, N-CH, 100V, 100A, TO-220-3

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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 100V, 100A, 214W, TO220-3, NexFET?

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无图CSD19531KCS
Texas Instruments		MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Texas Instruments - CSD19531KCS - Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD19531KCS, 110 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
制造商零件编号：
CSD19531KCS
品牌：
Texas Instruments
库存编号：
827-4912
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CSD19531KCS
TEXAS INSTRUMENTS CSD19531KCS		2419495

TEXAS INSTRUMENTS

晶体管, MOSFET, NexFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.0064 ohm, 10 V, 2.7 V

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TEXAS INSTRUMENTS CSD19531KCS.		2410081

TEXAS INSTRUMENTS

场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 100A, TO-220-3

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参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF操作

Texas Instruments - CSD19531KCS - MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3		Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 214W（Tc） TO-220-3

型号：CSD19531KCS
仓库库存编号：296-37480-5-ND
别名：296-37480-5 <br>CSD19531KCS-ND <br>

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电话:400-900-3095
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CSD19531KCS.产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.002965
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