CSD19505KTT,2544997,晶体管, MOSFET, N沟道, 212 A, 80 V, 0.0026 ohm, 10 V, 2.6 V,TEXAS INSTRUMENTS
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晶体管, MOSFET, N沟道, 212 A, 80 V, 0.0026 ohm, 10 V, 2.6 V

TEXAS INSTRUMENTS CSD19505KTT
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制造商产品编号:
CSD19505KTT
仓库库存编号:
2544997
技术数据表:
(EN)
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CSD19505KTT产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  212A  
  漏源电压, Vds  80V  
  在电阻RDS(上)  0.0026ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  2.6V  
  功耗 Pd  300W  
  晶体管封装类型  TO-263  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 2 - 1年  
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QQ:800152669

CSD19505KTT产地与重量

原产地:
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
Y-Ex
税则号:
85412900
重量(千克):
.000001
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