CSD18563Q5AT,2430171RL,晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0057 ohm, 10 V, 2 V,TEXAS INSTRUMENTS
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CSD18563Q5AT - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0057 ohm, 10 V, 2 V

TEXAS INSTRUMENTS CSD18563Q5AT
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
CSD18563Q5AT
仓库库存编号：
2430171RL
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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CSD18563Q5AT产品概述

The CSD18563Q5AT is a 60V N-channel NexFET? Power MOSFET designed to minimize losses in power conversion applications. Suitable for DC to DC converters, secondary side synchronous rectifier, battery management and motor control applications.
  • Ultra low Qg and Qgd
  • Low thermal resistance
  • Avalanche rated
  • Halogen-free
  • Logic level

电源管理, 电机驱动与控制

CSD18563Q5AT产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  100A  
  漏源电压, Vds  60V  
  在电阻RDS（上）  0.0057ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  2V  
  功耗 Pd  3.2W  
  晶体管封装类型  VSON  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

CSD18563Q5AT产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.001
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