CSD18543Q3AT,2707277,晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 60 V, 0.0081 ohm, 10 V, 2 V,TEXAS INSTRUMENTS
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晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 60 V, 0.0081 ohm, 10 V, 2 V

TEXAS INSTRUMENTS CSD18543Q3AT
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
CSD18543Q3AT
仓库库存编号：
2707277
技术数据表：
(EN)
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CSD18543Q3AT产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  35A  
  漏源电压, Vds  60V  
  在电阻RDS（上）  0.0081ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  2V  
  功耗 Pd  66W  
  晶体管封装类型  VSON  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  NexFET Series  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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CSD18543Q3AT
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60V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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MOSFET 60V N CH MOSFET

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MOSFET 60V N CH MOSFET

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60V N-Channel NexFET Power MOSFET (Alt: CSD18543Q3AT)

RoHS: Compliant

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60V N-Channel NexFET Power MOSFET - Tape and Reel (Alt: CSD18543Q3AT)

RoHS: Compliant

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CSD18543Q3AT
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Trans MOSFET N-CH Si 60V 35A 8-Pin VSONP EP T/R

RoHS: Compliant

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CSD18543Q3AT
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MOSFET, N-CH, 60V, 35A, VSON

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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
CSD18543Q3AT
TEXAS INSTRUMENTS CSD18543Q3AT		2707277

TEXAS INSTRUMENTS

晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 60 V, 0.0081 ohm, 10 V, 2 V

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Texas Instruments - CSD18543Q3AT - 60V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF		Texas Instruments
60V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），60A（Tc） 66W（Tc） 8-VSON（3.3x3.3）

型号：CSD18543Q3AT
仓库库存编号：296-45302-1-ND
别名：296-45302-1 <br>

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CSD18543Q3AT产地与重量

原产地：
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.0023
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