CSD18541F5T,2580524,晶体管, MOSFET, N沟道, 2.2 A, 60 V, 0.054 ohm, 10 V, 1.75 V,TEXAS INSTRUMENTS
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CSD18541F5T
CSD18541F5T -
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.2 A, 60 V, 0.054 ohm, 10 V, 1.75 V
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制造商:
TEXAS INSTRUMENTS
TEXAS INSTRUMENTS
制造商产品编号:
CSD18541F5T
仓库库存编号:
2580524
技术数据表:
(EN)
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400-900-3095 0755-21000796, QQ:
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CSD18541F5T产品信息
晶体管极性
N沟道
电流, Id 连续
2.2A
漏源电压, Vds
60V
在电阻RDS(上)
0.054ohm
电压 @ Rds测量
10V
阈值电压 Vgs
1.75V
功耗 Pd
500mW
晶体管封装类型
PICOSTAR
针脚数
3引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
FemtoFET Series
汽车质量标准
-
MSL
MSL 1 -无限制
关键词
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晶体管极性 N沟道
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电流, Id 连续 2.2A
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TEXAS INSTRUMENTS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 2.2A
漏源电压, Vds 60V
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds 60V
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在电阻RDS(上) 0.054ohm
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电压 @ Rds测量 10V
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功耗 Pd 500mW
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晶体管封装类型 PICOSTAR
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产品范围 FemtoFET Series
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TEXAS INSTRUMENTS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
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CSD18541F5T产地与重量
原产地:
Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85412100
重量(千克):
.0023
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