CSD18540Q5BT,2447870,晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0018 ohm, 10 V, 1.9 V,TEXAS INSTRUMENTS
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CSD18540Q5BT
CSD18540Q5BT -
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0018 ohm, 10 V, 1.9 V
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制造商:
TEXAS INSTRUMENTS
TEXAS INSTRUMENTS
制造商产品编号:
CSD18540Q5BT
仓库库存编号:
2447870
技术数据表:
(EN)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
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CSD18540Q5BT产品信息
晶体管极性
N沟道
电流, Id 连续
100A
漏源电压, Vds
60V
在电阻RDS(上)
0.0018ohm
电压 @ Rds测量
10V
阈值电压 Vgs
1.9V
功耗 Pd
195W
晶体管封装类型
VSON
针脚数
8引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
-
MSL
MSL 1 -无限制
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晶体管极性 N沟道
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电流, Id 连续 100A
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 100A
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漏源电压, Vds 60V
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在电阻RDS(上) 0.0018ohm
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 0.0018ohm
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电压 @ Rds测量 10V
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 10V
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阈值电压 Vgs 1.9V
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功耗 Pd 195W
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晶体管封装类型 VSON
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sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
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CSD18540Q5BT产地与重量
原产地:
Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85423190
重量(千克):
.0005
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