CSD17313Q2,2435716,晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 30 V, 0.024 ohm, 8 V, 1.3 V,TEXAS INSTRUMENTS
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CSD17313Q2
CSD17313Q2 -
晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 30 V, 0.024 ohm, 8 V, 1.3 V
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制造商:
TEXAS INSTRUMENTS
TEXAS INSTRUMENTS
制造商产品编号:
CSD17313Q2
仓库库存编号:
2435716
技术数据表:
(EN)
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400-900-3095 0755-21000796, QQ:
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CSD17313Q2产品信息
晶体管极性
N沟道
电流, Id 连续
5A
漏源电压, Vds
30V
在电阻RDS(上)
0.024ohm
电压 @ Rds测量
8V
阈值电压 Vgs
1.3V
功耗 Pd
2.3W
晶体管封装类型
SON
针脚数
6引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
-
MSL
MSL 1 -无限制
关键词
CSD17313Q2替代选择
制造商产品编号
仓库库存编号
制造商 / 说明 / 规格书
操作
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TEXAS INSTRUMENTS
晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 30 V, 0.024 ohm, 8 V, 1.3 V
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漏源电压, Vds 30V
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds 30V
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在电阻RDS(上) 0.024ohm
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电压 @ Rds测量 8V
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 8V
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阈值电压 Vgs 1.3V
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs 1.3V
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功耗 Pd 2.3W
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 2.3W
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晶体管封装类型 SON
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针脚数 6引脚
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工作温度最高值 150°C
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C
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TEXAS INSTRUMENTS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制
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CSD17313Q2产地与重量
原产地:
Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85412900
重量(千克):
.3
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
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