CSD17308Q3T,2544994,晶体管, MOSFET, NexFET™, N沟道, 44 A, 30 V, 0.0082 ohm, 8 V, 1.3 V,TEXAS INSTRUMENTS
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CSD17308Q3T - 

晶体管, MOSFET, NexFET™, N沟道, 44 A, 30 V, 0.0082 ohm, 8 V, 1.3 V

TEXAS INSTRUMENTS CSD17308Q3T
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制造商产品编号：
CSD17308Q3T
仓库库存编号：
2544994
技术数据表：
(EN)
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CSD17308Q3T产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  44A  
  漏源电压, Vds  30V  
  在电阻RDS（上）  0.0082ohm  
  电压 @ Rds测量  8V  
  阈值电压 Vgs  1.3V  
  功耗 Pd  28W  
  晶体管封装类型  VSON  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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CSD17308Q3T
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MOSFET N-CH 30V 50A

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MOSFET 30V N CH MOSFET

RoHS: Not compliant

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MOSFET 30V NCh NexFET Pwr MOSFET

RoHS: Compliant

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MOSFET

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CSD17308Q3T
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Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R

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CSD17308Q3T
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MOSFET, N-CH, 30V, 44A, VSON-8

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Texas Instruments - CSD17308Q3T - MOSFET N-CH 30V 50A		Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 50A
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），44A（Tc） 2.7W（Ta），28W（Tc） 8-VSON（3.3x3.3）

型号：CSD17308Q3T
仓库库存编号：296-44075-1-ND
别名：296-44075-1 <br>

含铅		搜索
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CSD17308Q3T
TEXAS INSTRUMENTS CSD17308Q3T		2544994

TEXAS INSTRUMENTS

晶体管, MOSFET, NexFET&trade;, N沟道, 44 A, 30 V, 0.0082 ohm, 8 V, 1.3 V

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无图CSD17308Q3T
Texas Instruments		MOSFET N-CH 30V 50A
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CSD17308Q3T产地与重量

原产地：
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
Y-Ex
税则号：
85412900
重量（千克）：
.000001
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