CSD16570Q5BT,2447865RL,晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 25 V, 0.00049 ohm, 10 V, 1.5 V,TEXAS INSTRUMENTS
laird代理商
专业代理销售laird（莱尔德）全系列产品-新加坡2号仓库
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：28B0500-100  IRF9540  保险丝  amphenol  4.7μF 63V 5mm  P沟道 8ohm SOT-23  2581138

CSD16570Q5BT - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 25 V, 0.00049 ohm, 10 V, 1.5 V

TEXAS INSTRUMENTS CSD16570Q5BT
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
CSD16570Q5BT
仓库库存编号：
2447865RL
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

CSD16570Q5BT产品概述

The CSD16570Q5BT is a 25V N-channel NexFET? Power MOSFET is designed to minimize resistance for OR-ing and hot swap applications.
  • Extremely low resistance
  • Low Qg and Qgd
  • Low thermal resistance
  • Avalanche rated
  • Halogen-free

电源管理

CSD16570Q5BT产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  100A  
  漏源电压, Vds  25V  
  在电阻RDS（上）  0.00049ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  1.5V  
  功耗 Pd  195W  
  晶体管封装类型  VSON  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  85°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
关键词         

CSD16570Q5BT相关搜索

晶体管极性 N沟道  TEXAS INSTRUMENTS 晶体管极性 N沟道  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 N沟道  TEXAS INSTRUMENTS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 N沟道   电流, Id 连续 100A  TEXAS INSTRUMENTS 电流, Id 连续 100A  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 100A  TEXAS INSTRUMENTS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 100A   漏源电压, Vds 25V  TEXAS INSTRUMENTS 漏源电压, Vds 25V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds 25V  TEXAS INSTRUMENTS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds 25V   在电阻RDS（上） 0.00049ohm  TEXAS INSTRUMENTS 在电阻RDS（上） 0.00049ohm  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS（上） 0.00049ohm  TEXAS INSTRUMENTS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS（上） 0.00049ohm   电压 @ Rds测量 10V  TEXAS INSTRUMENTS 电压 @ Rds测量 10V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 10V  TEXAS INSTRUMENTS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 10V   阈值电压 Vgs 1.5V  TEXAS INSTRUMENTS 阈值电压 Vgs 1.5V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs 1.5V  TEXAS INSTRUMENTS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs 1.5V   功耗 Pd 195W  TEXAS INSTRUMENTS 功耗 Pd 195W  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 195W  TEXAS INSTRUMENTS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 195W   晶体管封装类型 VSON  TEXAS INSTRUMENTS 晶体管封装类型 VSON  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 VSON  TEXAS INSTRUMENTS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 VSON   针脚数 8引脚  TEXAS INSTRUMENTS 针脚数 8引脚  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 8引脚  TEXAS INSTRUMENTS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 8引脚   工作温度最高值 85°C  TEXAS INSTRUMENTS 工作温度最高值 85°C  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 85°C  TEXAS INSTRUMENTS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 85°C   产品范围 -  TEXAS INSTRUMENTS 产品范围 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -  TEXAS INSTRUMENTS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -   汽车质量标准 -  TEXAS INSTRUMENTS 汽车质量标准 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -  TEXAS INSTRUMENTS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -   MSL MSL 1 -无限制  TEXAS INSTRUMENTS MSL MSL 1 -无限制  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制  TEXAS INSTRUMENTS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

CSD16570Q5BT产地与重量

原产地：
Philippines

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85423190
重量（千克）：
.0005
laird电子简介 | laird产品 | laird动态 | 按系列选型 | 按产品规格选型 | laird产品应用 | laird选型手册
Copyright © 2017 www.laird-tek.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
版权所有：深圳市创唯电子有限公司 客服电话：400-900-3095 企业QQ：800152669 邮箱:sales@szcwdz.com