CSD16411Q3.,2394312,场效应管, MOSFET, N沟道, 25V, 56A, SON,TEXAS INSTRUMENTS
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CSD16411Q3. - 

场效应管, MOSFET, N沟道, 25V, 56A, SON

TEXAS INSTRUMENTS CSD16411Q3.
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制造商产品编号：
CSD16411Q3.
仓库库存编号：
2394312
技术数据表：
(EN)
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CSD16411Q3.产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  56A  
  漏源电压, Vds  25V  
  在电阻RDS（上）  0.008ohm  
  电压 @ Rds测量  4.5V  
  阈值电压 Vgs  2V  
  功耗 Pd  2.7W  
  晶体管封装类型  SON  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 - Unlimited  
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CSD16411Q3
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MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON

RoHS: Compliant | pbFree: No

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MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON

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MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs

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MOSFET QFN 3x3 Single N 25V

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Trans MOSFET N-CH 25V 14A 8-Pin SON EP T/R (Alt: CSD16411Q3)

RoHS: Compliant

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Trans MOSFET N-CH 25V 14A 8-Pin SON EP T/R (Alt: CSD16411Q3)

RoHS: Compliant

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Trans MOSFET N-CH 25V 14A 8-Pin SON EP T/R - Tape and Reel (Alt: CSD16411Q3)

RoHS: Not Compliant

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CSD16411Q3
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Trans MOSFET N-CH 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R

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Trans MOSFET N-CH 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R

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Texas Instruments		MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON
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Texas Instruments		MOSFET QFN 3x3 Single N 25V
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TI		Trans MOSFET N-CH 25V 14A 8-Pin SON EP T/R
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Texas Instruments		MOSFET QFN 3x3 Single N 25V
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Texas Instruments - CSD16411Q3 - MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON		Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），56A（Tc） 2.7W（Ta） 8-VSON（3.3x3.3）

型号：CSD16411Q3
仓库库存编号：296-24255-1-ND
别名：296-24255-1 <br>

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场效应管, MOSFET, N沟道, 25V, 56A, SON

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晶体管, MOSFET, N沟道, 56 A, 25 V, 0.008 ohm, 4.5 V, 2 V

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晶体管, MOSFET, N沟道, 56 A, 25 V, 0.008 ohm, 4.5 V, 2 V

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晶体管, MOSFET, N沟道, 56 A, 25 V, 0.008 ohm, 4.5 V, 2 V

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CSD16411Q3.产地与重量

原产地：
Philippines

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.000181
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