CSD13383F4T,2466807,晶体管, MOSFET, N沟道, 2.9 A, 12 V, 0.037 ohm, 4.5 V, 1 V,TEXAS INSTRUMENTS
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晶体管, MOSFET, N沟道, 2.9 A, 12 V, 0.037 ohm, 4.5 V, 1 V
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制造商:
TEXAS INSTRUMENTS
TEXAS INSTRUMENTS
制造商产品编号:
CSD13383F4T
仓库库存编号:
2466807
技术数据表:
(EN)
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CSD13383F4T产品信息
晶体管极性
N沟道
电流, Id 连续
2.9A
漏源电压, Vds
12V
在电阻RDS(上)
0.037ohm
电压 @ Rds测量
4.5V
阈值电压 Vgs
1V
功耗 Pd
500mW
晶体管封装类型
PICOSTAR
针脚数
3引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
-
MSL
MSL 1 -无限制
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电流, Id 连续 2.9A
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漏源电压, Vds 12V
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在电阻RDS(上) 0.037ohm
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电压 @ Rds测量 4.5V
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Q Q:
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CSD13383F4T产地与重量
原产地:
Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85412100
重量(千克):
.0005
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