VNN1NV04PTR-E,2354522,晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 45 V, 0.25 ohm, 5 V, 500 mV,STMICROELECTRONICS
laird代理商
专业代理销售laird(莱尔德)全系列产品-新加坡2号仓库
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:28B0500-100  IRF9540  保险丝  amphenol  4.7μF 63V 5mm  P沟道 8ohm SOT-23  2581138

VNN1NV04PTR-E - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 45 V, 0.25 ohm, 5 V, 500 mV

STMICROELECTRONICS VNN1NV04PTR-E
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
VNN1NV04PTR-E
仓库库存编号:
2354522
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

VNN1NV04PTR-E产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  1.7A  
  漏源电压, Vds  45V  
  在电阻RDS(上)  0.25ohm  
  电压 @ Rds测量  5V  
  阈值电压 Vgs  500mV  
  功耗 Pd  7W  
  晶体管封装类型  SOT-223  
  针脚数  4引脚  
  工作温度最高值  -  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  -  
关键词         

VNN1NV04PTR-E替代选择

  • 制造商产品编号
  • 仓库库存编号
  • 制造商 / 说明 / 规格书
  • 操作

VNN1NV04PTR-E相关搜索

晶体管极性 N沟道  STMICROELECTRONICS 晶体管极性 N沟道  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 N沟道  STMICROELECTRONICS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 N沟道   电流, Id 连续 1.7A  STMICROELECTRONICS 电流, Id 连续 1.7A  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 1.7A  STMICROELECTRONICS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 1.7A   漏源电压, Vds 45V  STMICROELECTRONICS 漏源电压, Vds 45V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds 45V  STMICROELECTRONICS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds 45V   在电阻RDS(上) 0.25ohm  STMICROELECTRONICS 在电阻RDS(上) 0.25ohm  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 0.25ohm  STMICROELECTRONICS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 0.25ohm   电压 @ Rds测量 5V  STMICROELECTRONICS 电压 @ Rds测量 5V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 5V  STMICROELECTRONICS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 5V   阈值电压 Vgs 500mV  STMICROELECTRONICS 阈值电压 Vgs 500mV  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs 500mV  STMICROELECTRONICS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs 500mV   功耗 Pd 7W  STMICROELECTRONICS 功耗 Pd 7W  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 7W  STMICROELECTRONICS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 7W   晶体管封装类型 SOT-223  STMICROELECTRONICS 晶体管封装类型 SOT-223  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 SOT-223  STMICROELECTRONICS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 SOT-223   针脚数 4引脚  STMICROELECTRONICS 针脚数 4引脚  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 4引脚  STMICROELECTRONICS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 4引脚   工作温度最高值 -  STMICROELECTRONICS 工作温度最高值 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 -  STMICROELECTRONICS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 -   产品范围 -  STMICROELECTRONICS 产品范围 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -  STMICROELECTRONICS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -   汽车质量标准 -  STMICROELECTRONICS 汽车质量标准 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -  STMICROELECTRONICS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -   MSL -  STMICROELECTRONICS MSL -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL -  STMICROELECTRONICS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL -  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

VNN1NV04PTR-E产地与重量

原产地:
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
Y-Ex
税则号:
85423300
重量(千克):
.000348
laird电子简介 | laird产品 | laird动态 | 按系列选型 | 按产品规格选型 | laird产品应用 | laird选型手册
Copyright © 2017 www.laird-tek.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
版权所有:深圳市创唯电子有限公司 客服电话:400-900-3095 企业QQ:800152669 邮箱:sales@szcwdz.com