STP9NK70Z,1752176,功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 700 V, 1 ohm, 10 V, 3.75 V,STMICROELECTRONICS
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STP9NK70Z
STP9NK70Z -
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 700 V, 1 ohm, 10 V, 3.75 V
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制造商:
STMICROELECTRONICS
STMICROELECTRONICS
制造商产品编号:
STP9NK70Z
仓库库存编号:
1752176
技术数据表:
(EN)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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STP9NK70Z产品信息
晶体管极性
N沟道
电流, Id 连续
4A
漏源电压, Vds
700V
在电阻RDS(上)
1ohm
电压 @ Rds测量
10V
阈值电压 Vgs
3.75V
功耗 Pd
115W
晶体管封装类型
TO-220
针脚数
3引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
MSL
-
关键词
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电压 @ Rds测量 10V
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阈值电压 Vgs 3.75V
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功耗 Pd 115W
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STMICROELECTRONICS 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) MSL -
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Q Q:
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STP9NK70Z产地与重量
原产地:
Morocco
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85423300
重量(千克):
.002722
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
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