STN1HNK60,1752117,功率场效应管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 600 V, 8 ohm, 10 V, 3 V,STMICROELECTRONICS
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STN1HNK60 - 

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 600 V, 8 ohm, 10 V, 3 V

STMICROELECTRONICS STN1HNK60
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
STN1HNK60
仓库库存编号：
1752117
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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STN1HNK60产品概述

The STN1HNK60 is a 600V N-channel SuperMESH? MOSFET with extreme optimization of well established strip-based PowerMESH? layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
  • Extremely high dv/dt capability
  • ESD improved capability
  • 100% Avalanche tested
  • New high voltage benchmark
  • Gate charge minimized

电源管理, 照明

STN1HNK60产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  500mA  
  漏源电压, Vds  600V  
  在电阻RDS（上）  8ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  3V  
  功耗 Pd  3.3W  
  晶体管封装类型  SOT-223  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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STN1HNK60产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.0002
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