STH410N4F7-2AG,2532275,MOSFET Transistor, N Channel, 200 A, 40 V, 0.0008 ohm, 10 V, 4.5 V,STMICROELECTRONICS
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STH410N4F7-2AG - 

MOSFET Transistor, N Channel, 200 A, 40 V, 0.0008 ohm, 10 V, 4.5 V

STMICROELECTRONICS STH410N4F7-2AG
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
STH410N4F7-2AG
仓库库存编号：
2532275
技术数据表：
(EN)
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STH410N4F7-2AG产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  200A  
  漏源电压, Vds  40V  
  在电阻RDS（上）  800μohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  4.5V  
  功耗 Pd  365W  
  晶体管封装类型  H2PAK-2  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  AEC-Q101  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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型号 制造商 描述 操作
STH410N4F7-2AG
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MOSFET N-CH 40V H2PAK-2

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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MOSFET

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型号 制造商 描述 操作
STH410N4F7-2AG
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N-channel STripFET > 30 V to 350 V (Alt: STH410N4F7-2AG)

RoHS: Compliant

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STH410N4F7-2AG
[更多]		 STMicroelectronics

N-channel STripFET > 30 V to 350 V - Tape and Reel (Alt: STH410N4F7-2AG)

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
STH410N4F7-2AG
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MOSFET, N-CH, 40V, 200A, H2PAK

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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
STH410N4F7-2AG
STMICROELECTRONICS STH410N4F7-2AG		2532275

STMICROELECTRONICS

MOSFET Transistor, N Channel, 200 A, 40 V, 0.0008 ohm, 10 V, 4.5 V

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参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF操作

STMicroelectronics - STH410N4F7-2AG - MOSFET N-CH 40V H2PAK-2		STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V H2PAK-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 365W（Tc） H2Pak-2

型号：STH410N4F7-2AG
仓库库存编号：497-16421-1-ND
别名：497-16421-1 <br>

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无图STH410N4F7-2AG
STMicroelectronics		 MOSFET N-CH 40V H2PAK-2
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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

STMicroelectronics - STH410N4F7-2AG - STMicroelectronics STripFET F7 系列 Si N沟道 MOSFET STH410N4F7-2AG, 200 A, Vds=40 V, 2针+焊片 H2PAK封装
制造商零件编号：
STH410N4F7-2AG
品牌：
STMicroelectronics
库存编号：
111-6466
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

STH410N4F7-2AG产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.000013
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