STF11NM80,1752070,功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 350 mohm, 10 V, 4 V,STMICROELECTRONICS
laird代理商
专业代理销售laird（莱尔德）全系列产品-新加坡2号仓库
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：28B0500-100  IRF9540  保险丝  amphenol  4.7μF 63V 5mm  P沟道 8ohm SOT-23  2581138

STF11NM80 - 

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 350 mohm, 10 V, 4 V

STMICROELECTRONICS STF11NM80
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
STF11NM80
仓库库存编号：
1752070
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

STF11NM80产品概述

The STF11NM80 is a 800V N-channel Power MOSFET developed using revolutionary MDmesh? technology, which associates the multiple drain process with the PowerMESH? horizontal layout. This MOSFET offers extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing proprietary strip technique, MOSFET boasts an overall dynamic performance which is superior.
  • Low input capacitance and gate charge
  • Low gate input resistance
  • Best RDS (on)
  • High peak power
  • High ruggedness capability

工业

STF11NM80产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  11A  
  漏源电压, Vds  800V  
  在电阻RDS（上）  350mohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  4V  
  功耗 Pd  35W  
  晶体管封装类型  TO-220FP  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  MSL  -  
关键词         

STF11NM80相关搜索

晶体管极性 N沟道  STMICROELECTRONICS 晶体管极性 N沟道  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 晶体管极性 N沟道  STMICROELECTRONICS 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 晶体管极性 N沟道   电流, Id 连续 11A  STMICROELECTRONICS 电流, Id 连续 11A  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 电流, Id 连续 11A  STMICROELECTRONICS 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 电流, Id 连续 11A   漏源电压, Vds 800V  STMICROELECTRONICS 漏源电压, Vds 800V  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 漏源电压, Vds 800V  STMICROELECTRONICS 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 漏源电压, Vds 800V   在电阻RDS（上） 350mohm  STMICROELECTRONICS 在电阻RDS（上） 350mohm  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 在电阻RDS（上） 350mohm  STMICROELECTRONICS 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 在电阻RDS（上） 350mohm   电压 @ Rds测量 10V  STMICROELECTRONICS 电压 @ Rds测量 10V  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 电压 @ Rds测量 10V  STMICROELECTRONICS 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 电压 @ Rds测量 10V   阈值电压 Vgs 4V  STMICROELECTRONICS 阈值电压 Vgs 4V  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 阈值电压 Vgs 4V  STMICROELECTRONICS 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 阈值电压 Vgs 4V   功耗 Pd 35W  STMICROELECTRONICS 功耗 Pd 35W  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 功耗 Pd 35W  STMICROELECTRONICS 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 功耗 Pd 35W   晶体管封装类型 TO-220FP  STMICROELECTRONICS 晶体管封装类型 TO-220FP  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 晶体管封装类型 TO-220FP  STMICROELECTRONICS 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 晶体管封装类型 TO-220FP   针脚数 3引脚  STMICROELECTRONICS 针脚数 3引脚  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 针脚数 3引脚  STMICROELECTRONICS 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 针脚数 3引脚   工作温度最高值 150°C  STMICROELECTRONICS 工作温度最高值 150°C  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 工作温度最高值 150°C  STMICROELECTRONICS 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 工作温度最高值 150°C   产品范围 -  STMICROELECTRONICS 产品范围 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 产品范围 -  STMICROELECTRONICS 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 产品范围 -   MSL -  STMICROELECTRONICS MSL -  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) MSL -  STMICROELECTRONICS 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) MSL -  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

STF11NM80产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.0002
laird电子简介 | laird产品 | laird动态 | 按系列选型 | 按产品规格选型 | laird产品应用 | laird选型手册
Copyright © 2017 www.laird-tek.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
版权所有：深圳市创唯电子有限公司 客服电话：400-900-3095 企业QQ：800152669 邮箱:sales@szcwdz.com