STD6N65M2,2460385RL,功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 650 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V,STMICROELECTRONICS
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STD6N65M2 - 

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 650 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V

STMICROELECTRONICS STD6N65M2
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
STD6N65M2
仓库库存编号：
2460385RL
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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STD6N65M2产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  4A  
  漏源电压, Vds  650V  
  在电阻RDS（上）  1.2ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  3V  
  功耗 Pd  60W  
  晶体管封装类型  TO-252  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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QQ:800152669

STD6N65M2产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.00033
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