STD30NF06LT4 -

晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 60 V, 0.022 ohm, 2.5 V, 1.7 V

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制造商：: STMICROELECTRONICS STMICROELECTRONICS
制造商产品编号：: STD30NF06LT4
仓库库存编号：: 1752032
技术数据表：: (EN)

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STD30NF06LT4产品概述

The STD30NF06LT4 is a N-channel STripFET?II Power MOSFET with single feature size strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps allowing remarkable manufacturing reproducibility.

Extremely dv/dt capability
Logic-level gate drive

工业, 车用, 电机驱动与控制

晶体管极性	N沟道
电流, Id 连续	35A
漏源电压, Vds	60V
在电阻RDS（上）	22mohm
电压 @ Rds测量	2.5V
阈值电压 Vgs	1.7V
功耗 Pd	70W
晶体管封装类型	TO-252
针脚数	3引脚
工作温度最高值	175°C
产品范围	-
汽车质量标准	-
MSL	MSL 1 -无限制
关键词

STD30NF06LT4 -

晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 60 V, 0.022 ohm, 2.5 V, 1.7 V

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