STD2HNK60Z-1,1317099,功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2 A, 600 V, 4.4 ohm, 10 V, 3.75 V,STMICROELECTRONICS
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STD2HNK60Z-1 - 

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2 A, 600 V, 4.4 ohm, 10 V, 3.75 V

STMICROELECTRONICS STD2HNK60Z-1
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
STD2HNK60Z-1
仓库库存编号：
1317099
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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STD2HNK60Z-1产品概述

The STD2HNK60Z-1 is an N-channel Zener-protected Power MOSFET developed using STMicroelectronics SuperMESH? technology, achieved through optimization of ST's well established strip-based PowerMESH? layout. In addition to a significant reduction in on-resistance, this device is designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.
  • Gate charge minimized
  • 100% avalanche tested
  • Extremely high dv/dt capability
  • ESD improved capability
  • New high voltage benchmark

工业

STD2HNK60Z-1产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  2A  
  漏源电压, Vds  600V  
  在电阻RDS（上）  4.4ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  3.75V  
  功耗 Pd  45W  
  晶体管封装类型  TO-251AA  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  MSL  -  
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STD2HNK60Z-1产地与重量

原产地：
Philippines

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.00029
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