STD14NM50N,2098159,晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 500 V, 0.28 ohm, 10 V, 3 V,STMICROELECTRONICS
专业代理销售laird(莱尔德)全系列产品-新加坡2号仓库
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
Laird产品选型
按产品分类选型
按制造商选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
28B0500-100
IRF9540
保险丝
amphenol
4.7μF 63V 5mm
P沟道 8ohm SOT-23
2581138
新加坡2号仓库
>
半导体 - 分立器件
>
晶体管
>
MOSFET晶体管
>
场效应管MOSFET晶体管(600V以下)
>
STD14NM50N
STD14NM50N -
晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 500 V, 0.28 ohm, 10 V, 3 V
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
STMICROELECTRONICS
STMICROELECTRONICS
制造商产品编号:
STD14NM50N
仓库库存编号:
2098159
技术数据表:
(EN)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
STD14NM50N产品信息
晶体管极性
N沟道
电流, Id 连续
12A
漏源电压, Vds
500V
在电阻RDS(上)
0.28ohm
电压 @ Rds测量
10V
阈值电压 Vgs
3V
功耗 Pd
90W
晶体管封装类型
TO-252
针脚数
3引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
-
MSL
MSL 1 -无限制
关键词
STD14NM50N相关搜索
晶体管极性 N沟道
STMICROELECTRONICS 晶体管极性 N沟道
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 N沟道
STMICROELECTRONICS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 N沟道
电流, Id 连续 12A
STMICROELECTRONICS 电流, Id 连续 12A
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 12A
STMICROELECTRONICS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 12A
漏源电压, Vds 500V
STMICROELECTRONICS 漏源电压, Vds 500V
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds 500V
STMICROELECTRONICS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds 500V
在电阻RDS(上) 0.28ohm
STMICROELECTRONICS 在电阻RDS(上) 0.28ohm
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 0.28ohm
STMICROELECTRONICS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 0.28ohm
电压 @ Rds测量 10V
STMICROELECTRONICS 电压 @ Rds测量 10V
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 10V
STMICROELECTRONICS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 10V
阈值电压 Vgs 3V
STMICROELECTRONICS 阈值电压 Vgs 3V
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs 3V
STMICROELECTRONICS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs 3V
功耗 Pd 90W
STMICROELECTRONICS 功耗 Pd 90W
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 90W
STMICROELECTRONICS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 90W
晶体管封装类型 TO-252
STMICROELECTRONICS 晶体管封装类型 TO-252
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 TO-252
STMICROELECTRONICS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 TO-252
针脚数 3引脚
STMICROELECTRONICS 针脚数 3引脚
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚
STMICROELECTRONICS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚
工作温度最高值 150°C
STMICROELECTRONICS 工作温度最高值 150°C
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C
STMICROELECTRONICS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C
产品范围 -
STMICROELECTRONICS 产品范围 -
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -
STMICROELECTRONICS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -
汽车质量标准 -
STMICROELECTRONICS 汽车质量标准 -
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -
STMICROELECTRONICS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -
MSL MSL 1 -无限制
STMICROELECTRONICS MSL MSL 1 -无限制
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制
STMICROELECTRONICS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
STD14NM50N产地与重量
原产地:
China
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85412900
重量(千克):
.033
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
laird电子简介
|
laird产品
|
laird动态
|
按系列选型
|
按产品规格选型
|
laird产品应用
|
laird选型手册
Copyright © 2017
www.laird-tek.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
版权所有:深圳市创唯电子有限公司 客服电话:400-900-3095 企业QQ:
800152669
邮箱:
sales@szcwdz.com