STD12NF06LT4 - STMICROELECTRONICS - 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 80 mohm, 10 V, 3 V - 1175684

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Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Drive: logic level Housing type: DPAK Polarity: N Power dissipation: 30 W

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MOSFET Transistor, N-Channel, TO-252AA

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STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 Si MOSFET STD12NF06LT4, 12 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装

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	STD12NF06LT4 STMICROELECTRONICS	场效应管 MOSFET N 每卷2500	查价格库存查看详细

晶体管极性	N沟道
电流, Id 连续	12A
漏源电压, Vds	60V
在电阻RDS（上）	80mohm
电压 @ Rds测量	10V
阈值电压 Vgs	3V
功耗 Pd	30W
晶体管封装类型	TO-252
针脚数	3引脚
工作温度最高值	175°C
产品范围	STD Series
汽车质量标准	-
MSL	MSL 1 -无限制
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