S29GL01GS10DHI010,1972435,闪存, 1 Gbit, 64M x 16位, 并行, FBGA, 64 引脚,CYPRESS SEMICONDUCTOR
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S29GL01GS10DHI010
S29GL01GS10DHI010 -
闪存, 1 Gbit, 64M x 16位, 并行, FBGA, 64 引脚
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
CYPRESS SEMICONDUCTOR
CYPRESS SEMICONDUCTOR
制造商产品编号:
S29GL01GS10DHI010
仓库库存编号:
1972435
技术数据表:
(EN)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
S29GL01GS10DHI010产品信息
存储器容量
1Gbit
闪存配置
64M x 16位
时钟频率
-
芯片接口类型
并行
封装类型
FBGA
针脚数
64引脚
存取时间
100ns
电源电压最小值
2.7V
电源电压最大值
3.6V
工作温度最小值
-40°C
工作温度最高值
85°C
封装
每个
产品范围
3V Parallel NOR Flash Memories
MSL
MSL 3 - 168小时
关键词
S29GL01GS10DHI010关联产品
制造商产品编号
仓库库存编号
制造商 / 说明 / 规格书
操作
D00343
1306396
DURATOOL
镊子, 07型, 抗磁, 细曲形, 115 mm, 不锈钢体, 不锈钢尖
(EN)
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芯片接口类型 并行
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封装类型 FBGA
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闪存 封装类型 FBGA
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针脚数 64引脚
CYPRESS SEMICONDUCTOR 针脚数 64引脚
闪存 针脚数 64引脚
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存取时间 100ns
CYPRESS SEMICONDUCTOR 存取时间 100ns
闪存 存取时间 100ns
CYPRESS SEMICONDUCTOR 闪存 存取时间 100ns
电源电压最小值 2.7V
CYPRESS SEMICONDUCTOR 电源电压最小值 2.7V
闪存 电源电压最小值 2.7V
CYPRESS SEMICONDUCTOR 闪存 电源电压最小值 2.7V
电源电压最大值 3.6V
CYPRESS SEMICONDUCTOR 电源电压最大值 3.6V
闪存 电源电压最大值 3.6V
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工作温度最小值 -40°C
CYPRESS SEMICONDUCTOR 工作温度最小值 -40°C
闪存 工作温度最小值 -40°C
CYPRESS SEMICONDUCTOR 闪存 工作温度最小值 -40°C
工作温度最高值 85°C
CYPRESS SEMICONDUCTOR 工作温度最高值 85°C
闪存 工作温度最高值 85°C
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封装 每个
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闪存 封装 每个
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产品范围 3V Parallel NOR Flash Memories
CYPRESS SEMICONDUCTOR 产品范围 3V Parallel NOR Flash Memories
闪存 产品范围 3V Parallel NOR Flash Memories
CYPRESS SEMICONDUCTOR 闪存 产品范围 3V Parallel NOR Flash Memories
MSL MSL 3 - 168小时
CYPRESS SEMICONDUCTOR MSL MSL 3 - 168小时
闪存 MSL MSL 3 - 168小时
CYPRESS SEMICONDUCTOR 闪存 MSL MSL 3 - 168小时
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
S29GL01GS10DHI010产地与重量
原产地:
Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85423269
重量(千克):
.008455
美国1号品牌选型
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英国2号品牌选型
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