2N6660,2295734,晶体管, MOSFET, N沟道, 1.1 A, 60 V, 2.7 ohm, 10 V, 1.5 V,SOLID STATE
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2N6660
2N6660 -
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.1 A, 60 V, 2.7 ohm, 10 V, 1.5 V
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制造商:
SOLID STATE
SOLID STATE
制造商产品编号:
2N6660
仓库库存编号:
2295734
技术数据表:
(EN)
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400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
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sales@szcwdz.com
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2N6660产品概述
The 2N6660 is a 60V N-channel Enhancement Mode MOSFET designed for use in switching regulators, converters and motor drivers.
电源管理, 工业, 电机驱动与控制
2N6660产品信息
晶体管极性
N沟道
电流, Id 连续
1.1A
漏源电压, Vds
60V
在电阻RDS(上)
2.7ohm
电压 @ Rds测量
10V
阈值电压 Vgs
1.5V
功耗 Pd
6.25W
晶体管封装类型
TO-205AD
针脚数
3引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
-
MSL
-
关键词
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电流, Id 连续 1.1A
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 1.1A
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漏源电压, Vds 60V
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在电阻RDS(上) 2.7ohm
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 2.7ohm
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电压 @ Rds测量 10V
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 10V
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阈值电压 Vgs 1.5V
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功耗 Pd 6.25W
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 6.25W
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晶体管封装类型 TO-205AD
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C
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Q Q:
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2N6660产地与重量
原产地:
United States
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85412900
重量(千克):
.001102
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