SK35GD126ET,1095552,晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 40 A, 2.1 V, 1.05 kW, 1.2 kV, SEMITOP 3,SEMIKRON
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晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 40 A, 2.1 V, 1.05 kW, 1.2 kV, SEMITOP 3

SEMIKRON SK35GD126ET
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
SK35GD126ET
仓库库存编号：
1095552
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SK35GD126ET产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  集电极直流电流  40A  
  集电极发射饱和电压, Vce  2.1V  
  功耗 Pd  1.05kW  
  集电极发射电压, Vceo  1.2kV  
  晶体管封装类型  SEMITOP 3  
  针脚数  36引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

SK35GD126ET产地与重量

原产地：
Italy

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85359000
重量（千克）：
.13
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