RW1A025APT2CR,2706695,晶体管, MOSFET, P沟道, -2.5 A, -12 V, 0.044 ohm, -4.5 V, -1 V,ROHM
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4.7μF 63V 5mm
P沟道 8ohm SOT-23
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RW1A025APT2CR
RW1A025APT2CR -
晶体管, MOSFET, P沟道, -2.5 A, -12 V, 0.044 ohm, -4.5 V, -1 V
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
ROHM
ROHM
制造商产品编号:
RW1A025APT2CR
仓库库存编号:
2706695
技术数据表:
(EN)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
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sales@szcwdz.com
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RW1A025APT2CR产品信息
晶体管极性
P沟道
电流, Id 连续
-2.5A
漏源电压, Vds
-12V
在电阻RDS(上)
0.044ohm
电压 @ Rds测量
-4.5V
阈值电压 Vgs
-1V
功耗 Pd
700mW
晶体管封装类型
SOT-563T
针脚数
6引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
-
MSL
MSL 1 -无限制
关键词
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晶体管极性 P沟道
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电流, Id 连续 -2.5A
ROHM 电流, Id 连续 -2.5A
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 -2.5A
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漏源电压, Vds -12V
ROHM 漏源电压, Vds -12V
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds -12V
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在电阻RDS(上) 0.044ohm
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 0.044ohm
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电压 @ Rds测量 -4.5V
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 -4.5V
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阈值电压 Vgs -1V
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs -1V
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功耗 Pd 700mW
ROHM 功耗 Pd 700mW
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 700mW
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晶体管封装类型 SOT-563T
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 SOT-563T
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针脚数 6引脚
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 6引脚
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工作温度最高值 150°C
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C
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ROHM 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制
邮箱:
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Q Q:
800152669
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RW1A025APT2CR产地与重量
原产地:
Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85412100
重量(千克):
.000003
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英国2号品牌选型
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