RV2C002UNT2L..,2490618,晶体管, MOSFET, N沟道, 180 mA, 20 V, 1.4 ohm, 4.5 V, 1 V,ROHM
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RV2C002UNT2L..
RV2C002UNT2L.. -
晶体管, MOSFET, N沟道, 180 mA, 20 V, 1.4 ohm, 4.5 V, 1 V
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制造商:
ROHM
ROHM
制造商产品编号:
RV2C002UNT2L..
仓库库存编号:
2490618
技术数据表:
(EN)
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RV2C002UNT2L..产品信息
晶体管极性
N沟道
电流, Id 连续
180mA
漏源电压, Vds
20V
在电阻RDS(上)
1.4ohm
电压 @ Rds测量
4.5V
阈值电压 Vgs
1V
功耗 Pd
100mW
晶体管封装类型
VML1006
针脚数
3引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
-
MSL
-
关键词
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晶体管极性 N沟道
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电流, Id 连续 180mA
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 180mA
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漏源电压, Vds 20V
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在电阻RDS(上) 1.4ohm
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 1.4ohm
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电压 @ Rds测量 4.5V
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 4.5V
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阈值电压 Vgs 1V
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs 1V
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功耗 Pd 100mW
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 100mW
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晶体管封装类型 VML1006
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工作温度最高值 150°C
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C
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RV2C002UNT2L..产地与重量
原产地:
Japan
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85412100
重量(千克):
.005577
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英国2号品牌选型
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