RSR015P03TL,1680366,晶体管, MOSFET, P沟道, 1.5 A, -30 V, 235 mohm, -10 V, 2.5 V,ROHM
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RSR015P03TL
RSR015P03TL -
晶体管, MOSFET, P沟道, 1.5 A, -30 V, 235 mohm, -10 V, 2.5 V
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
ROHM
ROHM
制造商产品编号:
RSR015P03TL
仓库库存编号:
1680366
技术数据表:
(EN)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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RSR015P03TL产品信息
晶体管极性
P沟道
电流, Id 连续
1.5A
漏源电压, Vds
-30V
在电阻RDS(上)
235mohm
电压 @ Rds测量
-10V
阈值电压 Vgs
2.5V
功耗 Pd
1W
晶体管封装类型
TSMT
针脚数
3引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
-
MSL
MSL 1 -无限制
关键词
RSR015P03TL相关搜索
晶体管极性 P沟道
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 P沟道
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电流, Id 连续 1.5A
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 1.5A
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漏源电压, Vds -30V
ROHM 漏源电压, Vds -30V
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds -30V
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在电阻RDS(上) 235mohm
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 235mohm
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电压 @ Rds测量 -10V
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 -10V
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阈值电压 Vgs 2.5V
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs 2.5V
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功耗 Pd 1W
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 1W
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晶体管封装类型 TSMT
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针脚数 3引脚
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚
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工作温度最高值 150°C
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C
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邮箱:
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Q Q:
800152669
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RSR015P03TL产地与重量
原产地:
Japan
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85412900
重量(千克):
.000544
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