RSD046P05TL,2706653,晶体管, MOSFET, P沟道, -4.5 A, -45 V, 0.11 ohm, -10 V, -3 V,ROHM
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4.7μF 63V 5mm
P沟道 8ohm SOT-23
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RSD046P05TL
RSD046P05TL -
晶体管, MOSFET, P沟道, -4.5 A, -45 V, 0.11 ohm, -10 V, -3 V
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
ROHM
ROHM
制造商产品编号:
RSD046P05TL
仓库库存编号:
2706653
技术数据表:
(EN)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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RSD046P05TL产品信息
晶体管极性
P沟道
电流, Id 连续
-4.5A
漏源电压, Vds
-45V
在电阻RDS(上)
0.11ohm
电压 @ Rds测量
-10V
阈值电压 Vgs
-3V
功耗 Pd
15W
晶体管封装类型
TO-252
针脚数
3引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
-
MSL
MSL 1 -无限制
关键词
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晶体管极性 P沟道
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电流, Id 连续 -4.5A
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 -4.5A
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漏源电压, Vds -45V
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds -45V
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在电阻RDS(上) 0.11ohm
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 0.11ohm
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电压 @ Rds测量 -10V
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 -10V
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阈值电压 Vgs -3V
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs -3V
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功耗 Pd 15W
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 15W
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晶体管封装类型 TO-252
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 TO-252
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针脚数 3引脚
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚
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工作温度最高值 150°C
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C
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邮箱:
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Q Q:
800152669
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RSD046P05TL产地与重量
原产地:
Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85412900
重量(千克):
.000006
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
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