RRL035P03TR,2706642,晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -30 V, 0.036 ohm, -10 V, -2.5 V,ROHM
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4.7μF 63V 5mm
P沟道 8ohm SOT-23
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RRL035P03TR
RRL035P03TR -
晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -30 V, 0.036 ohm, -10 V, -2.5 V
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制造商:
ROHM
ROHM
制造商产品编号:
RRL035P03TR
仓库库存编号:
2706642
技术数据表:
(EN)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
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RRL035P03TR产品信息
晶体管极性
P沟道
电流, Id 连续
-3.5A
漏源电压, Vds
-30V
在电阻RDS(上)
0.036ohm
电压 @ Rds测量
-10V
阈值电压 Vgs
-2.5V
功耗 Pd
1W
晶体管封装类型
TUMT
针脚数
6引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
-
MSL
MSL 1 -无限制
关键词
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晶体管极性 P沟道
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电流, Id 连续 -3.5A
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 -3.5A
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漏源电压, Vds -30V
ROHM 漏源电压, Vds -30V
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds -30V
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在电阻RDS(上) 0.036ohm
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 0.036ohm
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电压 @ Rds测量 -10V
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 -10V
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阈值电压 Vgs -2.5V
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs -2.5V
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功耗 Pd 1W
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 1W
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晶体管封装类型 TUMT
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针脚数 6引脚
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 6引脚
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工作温度最高值 150°C
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C
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Q Q:
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RRL035P03TR产地与重量
原产地:
Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85412900
重量(千克):
.000005
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