RQ6E050ATTCR..,2490245,晶体管, MOSFET, P沟道, -5 A, -30 V, 0.021 ohm, -10 V, -2.5 V,ROHM
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RQ6E050ATTCR..
RQ6E050ATTCR.. -
晶体管, MOSFET, P沟道, -5 A, -30 V, 0.021 ohm, -10 V, -2.5 V
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制造商:
ROHM
ROHM
制造商产品编号:
RQ6E050ATTCR..
仓库库存编号:
2490245
技术数据表:
(EN)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
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RQ6E050ATTCR..产品信息
晶体管极性
P沟道
电流, Id 连续
-5A
漏源电压, Vds
-30V
在电阻RDS(上)
0.021ohm
电压 @ Rds测量
-10V
阈值电压 Vgs
-2.5V
功耗 Pd
1.25W
晶体管封装类型
TSMT
针脚数
6引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
-
MSL
-
关键词
RQ6E050ATTCR..相关搜索
晶体管极性 P沟道
ROHM 晶体管极性 P沟道
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电流, Id 连续 -5A
ROHM 电流, Id 连续 -5A
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 -5A
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漏源电压, Vds -30V
ROHM 漏源电压, Vds -30V
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds -30V
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在电阻RDS(上) 0.021ohm
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 0.021ohm
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电压 @ Rds测量 -10V
ROHM 电压 @ Rds测量 -10V
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 -10V
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阈值电压 Vgs -2.5V
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs -2.5V
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功耗 Pd 1.25W
ROHM 功耗 Pd 1.25W
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 1.25W
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晶体管封装类型 TSMT
ROHM 晶体管封装类型 TSMT
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针脚数 6引脚
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 6引脚
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工作温度最高值 150°C
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C
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产品范围 -
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汽车质量标准 -
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MSL -
ROHM MSL -
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sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
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RQ6E050ATTCR..产地与重量
原产地:
Japan
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85412900
重量(千克):
.005577
美国1号品牌选型
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英国2号品牌选型
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