RHU002N06FRAT106,2527971,晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 200 mA, 60 V, 1.7 ohm, 10 V, 2.5 V,ROHM
laird代理商
专业代理销售laird（莱尔德）全系列产品-新加坡2号仓库
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：28B0500-100  IRF9540  保险丝  amphenol  4.7μF 63V 5mm  P沟道 8ohm SOT-23  2581138

RHU002N06FRAT106 - 

晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 200 mA, 60 V, 1.7 ohm, 10 V, 2.5 V

ROHM RHU002N06FRAT106
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ROHM ROHM
制造商产品编号：
RHU002N06FRAT106
仓库库存编号：
2527971
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

RHU002N06FRAT106产品概述

  • AEC-Q101 Qualified

车用

RHU002N06FRAT106产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  200mA  
  漏源电压, Vds  60V  
  在电阻RDS（上）  1.7ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  2.5V  
  功耗 Pd  200mW  
  晶体管封装类型  SOT-323  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  AEC-Q101  
  MSL  MSL 1 -无限制  
关键词         

RHU002N06FRAT106关联产品

  • 制造商产品编号
  • 仓库库存编号
  • 制造商 / 说明 / 规格书
  • 操作

RHU002N06FRAT106相关搜索

晶体管极性 N沟道  ROHM 晶体管极性 N沟道  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 N沟道  ROHM 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 N沟道   电流, Id 连续 200mA  ROHM 电流, Id 连续 200mA  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 200mA  ROHM 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 200mA   漏源电压, Vds 60V  ROHM 漏源电压, Vds 60V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds 60V  ROHM 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds 60V   在电阻RDS（上） 1.7ohm  ROHM 在电阻RDS（上） 1.7ohm  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS（上） 1.7ohm  ROHM 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS（上） 1.7ohm   电压 @ Rds测量 10V  ROHM 电压 @ Rds测量 10V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 10V  ROHM 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 10V   阈值电压 Vgs 2.5V  ROHM 阈值电压 Vgs 2.5V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs 2.5V  ROHM 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs 2.5V   功耗 Pd 200mW  ROHM 功耗 Pd 200mW  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 200mW  ROHM 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 200mW   晶体管封装类型 SOT-323  ROHM 晶体管封装类型 SOT-323  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 SOT-323  ROHM 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 SOT-323   针脚数 3引脚  ROHM 针脚数 3引脚  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚  ROHM 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚   工作温度最高值 150°C  ROHM 工作温度最高值 150°C  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C  ROHM 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C   产品范围 -  ROHM 产品范围 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -  ROHM 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -   汽车质量标准 AEC-Q101  ROHM 汽车质量标准 AEC-Q101  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 AEC-Q101  ROHM 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 AEC-Q101   MSL MSL 1 -无限制  ROHM MSL MSL 1 -无限制  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制  ROHM 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

RHU002N06FRAT106产地与重量

原产地：
Thailand

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412100
重量（千克）：
.000013
laird电子简介 | laird产品 | laird动态 | 按系列选型 | 按产品规格选型 | laird产品应用 | laird选型手册
Copyright © 2017 www.laird-tek.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
版权所有：深圳市创唯电子有限公司 客服电话：400-900-3095 企业QQ：800152669 邮箱:sales@szcwdz.com