RHK003N06FRAT146,2527970,晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 300 mA, 60 V, 0.7 ohm, 10 V, 2.5 V,ROHM
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RHK003N06FRAT146
RHK003N06FRAT146 -
晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 300 mA, 60 V, 0.7 ohm, 10 V, 2.5 V
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制造商:
ROHM
ROHM
制造商产品编号:
RHK003N06FRAT146
仓库库存编号:
2527970
技术数据表:
(EN)
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RHK003N06FRAT146产品概述
AEC-Q101 Qualified
车用
RHK003N06FRAT146产品信息
晶体管极性
N沟道
电流, Id 连续
300mA
漏源电压, Vds
60V
在电阻RDS(上)
0.7ohm
电压 @ Rds测量
10V
阈值电压 Vgs
2.5V
功耗 Pd
200mW
晶体管封装类型
SMT
针脚数
3引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
MSL
MSL 1 -无限制
关键词
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电流, Id 连续 300mA
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漏源电压, Vds 60V
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在电阻RDS(上) 0.7ohm
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电压 @ Rds测量 10V
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 10V
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阈值电压 Vgs 2.5V
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功耗 Pd 200mW
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 200mW
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晶体管封装类型 SMT
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 SMT
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针脚数 3引脚
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚
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工作温度最高值 150°C
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C
ROHM 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C
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ROHM 产品范围 -
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -
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汽车质量标准 AEC-Q101
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 AEC-Q101
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MSL MSL 1 -无限制
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制
ROHM 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制
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RHK003N06FRAT146产地与重量
原产地:
Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85412100
重量(千克):
.000013
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