RGTH60TS65GC11,2519795,单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 58 A, 1.6 V, 194 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚,ROHM
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RGTH60TS65GC11 - 

单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 58 A, 1.6 V, 194 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚

ROHM RGTH60TS65GC11
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制造商:
ROHM ROHM
制造商产品编号:
RGTH60TS65GC11
仓库库存编号:
2519795
技术数据表:
(EN)
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RGTH60TS65GC11产品信息

  集电极直流电流  58A  
  集电极发射饱和电压, Vce  1.6V  
  功耗 Pd  194W  
  集电极发射电压, Vceo  650V  
  晶体管封装类型  TO-247N  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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ROHM Semiconductor

IGBT 650V 58A 197W TO-247N

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IGBT Transistors 650V 30A IGBT Stop Trench

RoHS: Compliant

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Trans IGBT Chip N-CH 650V 58A 3-Pin TO-247N Tube - Rail/Tube (Alt: RGTH60TS65GC11)

RoHS: Compliant

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IGBT, SINGLE, 650V, 58A, TO-247N-3

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IGBT Transistors 650V 30A IGBT Stop Trench

RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free

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IGBT 650V 58A 197W TO-247N
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RGTH60TS65GC11
ROHM RGTH60TS65GC11
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ROHM

单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 58 A, 1.6 V, 194 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚

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Rohm Semiconductor - RGTH60TS65GC11 - IGBT 650V 58A 197W TO-247N
Rohm Semiconductor
IGBT 650V 58A 197W TO-247N

详细描述:IGBT Trench Field Stop 650V 58A 197W Through Hole TO-247N

型号:RGTH60TS65GC11
仓库库存编号:RGTH60TS65GC11-ND
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RGTH60TS65GC11产地与重量

原产地:
Japan

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.002
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